casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / NTMD2C02R2SG
codice articolo del costruttore | NTMD2C02R2SG |
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Numero di parte futuro | FT-NTMD2C02R2SG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMD2C02R2SG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.2A, 3.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 10V |
Potenza - Max | 2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMD2C02R2SG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTMD2C02R2SG-FT |
NTZD3154NT2G
ON Semiconductor
NTZD3155CT1H
ON Semiconductor
NTZD3155CT5G
ON Semiconductor
NTZD3156CT1G
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NTZD3156CT2G
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NTZD3156CT5G
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NTZD5110NT5G
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VEC2415-TL-W
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