casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTHL065N65S3F
codice articolo del costruttore | NTHL065N65S3F |
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Numero di parte futuro | FT-NTHL065N65S3F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTHL065N65S3F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 46A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 23A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4.6mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4075pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 337W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTHL065N65S3F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTHL065N65S3F-FT |
NTD4809N-1G
ON Semiconductor
NTD4809NA-1G
ON Semiconductor
NTD4809NH-1G
ON Semiconductor
NTD4810N-1G
ON Semiconductor
NTD4810NH-1G
ON Semiconductor
NTD4813N-1G
ON Semiconductor
NTD4813NH-1G
ON Semiconductor
NTD4815N-1G
ON Semiconductor
NTD4815NH-1G
ON Semiconductor
NTD4854N-1G
ON Semiconductor
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel