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ON Semiconductor NTD60N02R-35G

Name: NTD60N02R-35G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTD60N02R-35G
Availability: InStock
Rating: 4.8 (40 reviews)

Numero parte MFG: NTD60N02R-35G

quantità disponibile: 80180 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NTD60N02R-35G.pdf

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NTD60N02R-35G specificazioni

codice articolo del costruttore	NTD60N02R-35G
Numero di parte futuro	FT-NTD60N02R-35G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NTD60N02R-35G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8.5A (Ta), 32A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1330pF @ 20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.25W (Ta), 58W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I-PAK
Pacchetto / caso	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTD60N02R-35G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NTD60N02R-35G-FT

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