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ON Semiconductor NTD5C648NLT4G

Numero parte MFG
NTD5C648NLT4G
quantità disponibile
18060 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.928184
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- T6 60V LL DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-NTD5C648NLT4G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NTD5C648NLT4G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Ta), 91A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2900pF @ 30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 4.4W (Ta), 76W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DPAK (SINGLE GAUGE)
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTD5C648NLT4G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NTD5C648NLT4G-FT

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