casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTD4857N-35G
codice articolo del costruttore | NTD4857N-35G |
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Numero di parte futuro | FT-NTD4857N-35G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTD4857N-35G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 78A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1960pF @ 12V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.31W (Ta), 56.6W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTD4857N-35G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTD4857N-35G-FT |
NTD3055-094-1G
ON Semiconductor
NTD3055-150-1G
ON Semiconductor
NTD3055L170-001
ON Semiconductor
NTD3055L170-1G
ON Semiconductor
NTD32N06-001
ON Semiconductor
NTD32N06-1G
ON Semiconductor
NTD32N06L-001
ON Semiconductor
NTD32N06L-1G
ON Semiconductor
NTD3808N-1G
ON Semiconductor
NTD3813N-1G
ON Semiconductor
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel