casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTD4809NAT4G
codice articolo del costruttore | NTD4809NAT4G |
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Numero di parte futuro | FT-NTD4809NAT4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTD4809NAT4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.6A (Ta), 58A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 11.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1456pF @ 12V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTD4809NAT4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTD4809NAT4G-FT |
NTD3055L104
ON Semiconductor
NTD3055L104G
ON Semiconductor
NTD3055L170
ON Semiconductor
NTD3055L170G
ON Semiconductor
NTD30N02G
ON Semiconductor
NTD30N02T4
ON Semiconductor
NTD32N06
ON Semiconductor
NTD32N06G
ON Semiconductor
NTD32N06L
ON Semiconductor
NTD32N06LG
ON Semiconductor
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel