casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / NSVT3946DP6T5G
codice articolo del costruttore | NSVT3946DP6T5G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVT3946DP6T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVT3946DP6T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN, PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V / 100 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz, 250MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-963 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-963 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVT3946DP6T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVT3946DP6T5G-FT |
BC847BPN,135
Nexperia USA Inc.
BC847BS,135
Nexperia USA Inc.
BC856BS,135
Nexperia USA Inc.
BC856S,125
Nexperia USA Inc.
BC856SF
Nexperia USA Inc.
BC857BS,115
Nexperia USA Inc.
BC857BS,135
Nexperia USA Inc.
BCM846BSX
Nexperia USA Inc.
BCM856BSH
Nexperia USA Inc.
PMBT3906YS,115
Nexperia USA Inc.
M2GL025-VFG400I
Microsemi Corporation
M2GL025TS-1VF400I
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LVQ100I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5N2F40C2LN
Intel
5SGSMD6K2F40I2LN
Intel
EP3SL340F1517C4LN
Intel
5SGXEABK1H40C2L
Intel
5AGXMA5G4F35C4N
Intel
EP1C20F324C7N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel