casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / NSVMUN2212T1G
codice articolo del costruttore | NSVMUN2212T1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVMUN2212T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVMUN2212T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 230mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-59-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN2212T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVMUN2212T1G-FT |
DTC144EM3T5G
ON Semiconductor
DTC124XM3T5G
ON Semiconductor
DTA143ZM3T5G
ON Semiconductor
DTC143TM3T5G
ON Semiconductor
DTC115EM3T5G
ON Semiconductor
DTC124EM3T5G
ON Semiconductor
DTA114TM3T5G
ON Semiconductor
DTA124EM3T5G
ON Semiconductor
DTA143TM3T5G
ON Semiconductor
MMUN2113LT3G
ON Semiconductor
AGLN020V5-CSG81I
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4020XL-3HT176I
Xilinx Inc.
EP4CE55F23C7N
Intel
5SGXMA4K3F40C2LN
Intel
10AX032H3F34I2SG
Intel
10M08SCE144A7G
Intel
5SGXMA3K3F35C2LN
Intel
XC5VLX30-1FF676C
Xilinx Inc.