casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / NSVMUN2212T1G
codice articolo del costruttore | NSVMUN2212T1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVMUN2212T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVMUN2212T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 230mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-59-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN2212T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVMUN2212T1G-FT |
DTC144EM3T5G
ON Semiconductor
DTC124XM3T5G
ON Semiconductor
DTA143ZM3T5G
ON Semiconductor
DTC143TM3T5G
ON Semiconductor
DTC115EM3T5G
ON Semiconductor
DTC124EM3T5G
ON Semiconductor
DTA114TM3T5G
ON Semiconductor
DTA124EM3T5G
ON Semiconductor
DTA143TM3T5G
ON Semiconductor
MMUN2113LT3G
ON Semiconductor
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
EP3CLS100F484I7N
Intel
5SGXMA4K3F40I3N
Intel
EP3C5E144I7
Intel
XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
AGL060V5-CSG121I
Microsemi Corporation
LFXP6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation