casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / NSVMMUN2236LT1G

| codice articolo del costruttore | NSVMMUN2236LT1G |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-NSVMMUN2236LT1G |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | Automotive, AEC-Q101 |
| NSVMMUN2236LT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 246mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NSVMMUN2236LT1G Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | NSVMMUN2236LT1G-FT |

PDTB113ET,215
Nexperia USA Inc.

PDTB114ETVL
Nexperia USA Inc.

PDTB123ET,215
Nexperia USA Inc.

PDTB123TT,215
Nexperia USA Inc.

PDTB143ETVL
Nexperia USA Inc.

PDTB143XTVL
Nexperia USA Inc.

PDTC114ET,215
Nexperia USA Inc.

PDTC114ET,235
Nexperia USA Inc.

PDTC114TT,215
Nexperia USA Inc.

PDTC114TT,235
Nexperia USA Inc.

XC3S100E-4TQ144I
Xilinx Inc.

M2GL010T-VFG400I
Microsemi Corporation

10CL040YF484C6G
Intel

EP4CGX75CF23I7
Intel

5SGXMA5N3F40I4N
Intel

EP4CE10E22C9LN
Intel

XC7VX690T-1FFG1761C
Xilinx Inc.

XC7S6-2CSGA225I
Xilinx Inc.

A42MX24-FPQ160
Microsemi Corporation

AGL060V2-CS121I
Microsemi Corporation