casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / NSVMMUN2112LT1G
codice articolo del costruttore | NSVMMUN2112LT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVMMUN2112LT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVMMUN2112LT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 246mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMMUN2112LT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVMMUN2112LT1G-FT |
DTC144WM3T5G
ON Semiconductor
DTC144EM3T5G
ON Semiconductor
DTC124XM3T5G
ON Semiconductor
DTA143ZM3T5G
ON Semiconductor
DTC143TM3T5G
ON Semiconductor
DTC115EM3T5G
ON Semiconductor
DTC124EM3T5G
ON Semiconductor
DTA114TM3T5G
ON Semiconductor
DTA124EM3T5G
ON Semiconductor
DTA143TM3T5G
ON Semiconductor
A40MX02-2VQ80
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-N3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2V4000-4FFG1517C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208A
Microsemi Corporation
5SGXMABK3H40C2N
Intel
XCV200-4BG256C
Xilinx Inc.
XC4028XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
AGL250V2-FG144T
Microsemi Corporation
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SG
Intel