casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NSVMMBT3906TT1G
codice articolo del costruttore | NSVMMBT3906TT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVMMBT3906TT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSVMMBT3906TT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-75, SOT-416 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-75, SOT-416 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMMBT3906TT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVMMBT3906TT1G-FT |
2SC4614T-AN
ON Semiconductor
NSL12AWT1G
ON Semiconductor
NSS12200WT1G
ON Semiconductor
SBC847BWT1G
ON Semiconductor
NSL12AWT1
ON Semiconductor
NSS20200W6T1G
ON Semiconductor
BC817-40WT1G
ON Semiconductor
BC848CWT1G
ON Semiconductor
BC858BWT1G
ON Semiconductor
MMBT5401WT1G
ON Semiconductor
A3P250-1PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM1K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1S10B672C7
Intel
EP4SGX360KF43C4
Intel
5SGXMA3K3F35C3N
Intel
XC2VP30-5FF1152C
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K3F35E2SG
Intel