casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NSVMMBT2907AM3T5G
codice articolo del costruttore | NSVMMBT2907AM3T5G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVMMBT2907AM3T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSVMMBT2907AM3T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 640mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-723 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMMBT2907AM3T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVMMBT2907AM3T5G-FT |
2N3791
Central Semiconductor Corp
2N3792
Central Semiconductor Corp
2N3442
Central Semiconductor Corp
2N5303
Central Semiconductor Corp
2N3716
Central Semiconductor Corp
2N6052
Central Semiconductor Corp
2N3773
Central Semiconductor Corp
2N6609
Central Semiconductor Corp
2N4398
Central Semiconductor Corp
2N4399
Central Semiconductor Corp
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel