casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / NSVIMD10AMT1G
codice articolo del costruttore | NSVIMD10AMT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVIMD10AMT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSVIMD10AMT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 13 kOhms, 130 Ohms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 285mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-74R |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVIMD10AMT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVIMD10AMT1G-FT |
XN0421300L
Panasonic Electronic Components
XN0421400L
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XN0421500L
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XN0421600L
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XN0421F00L
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XN0431100L
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XN0431400L
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XN0431600L
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XC6SLX16-3FT256I
Xilinx Inc.
XCKU035-2FBVA676E
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZQNG48I
Microsemi Corporation
EPF10K30AFC256-2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2N
Intel
5SGXMA5K3F35C2N
Intel
EP3SE80F1152I4
Intel
LFE3-95E-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel