casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / NSVF4017SG4T1G
codice articolo del costruttore | NSVF4017SG4T1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVF4017SG4T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSVF4017SG4T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequenza - Transizione | 10GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
Guadagno | 17dB |
Potenza - Max | 450mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 5V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-82FL/MCPH4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVF4017SG4T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVF4017SG4T1G-FT |
2SC5066-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5096-R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5108-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5065-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
MT3S16U(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4215-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5065-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5085-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5085-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX100T-3CSG484C
Xilinx Inc.
XA3S1200E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25-2FTG256Q
Xilinx Inc.
M2GL090TS-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
A54SX72A-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K600EFC672-1XN
Intel
5SGXEB6R3F40I4N
Intel
10AX027E2F27E2LG
Intel
LCMXO640C-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation