casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / NSVDTC123JM3T5G

| codice articolo del costruttore | NSVDTC123JM3T5G |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-NSVDTC123JM3T5G |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | Automotive, AEC-Q101 |
| NSVDTC123JM3T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 260mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-723 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-723 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NSVDTC123JM3T5G Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | NSVDTC123JM3T5G-FT |

PDTA144VT,215
Nexperia USA Inc.

PDTA144WT,215
Nexperia USA Inc.

PDTB113ET,215
Nexperia USA Inc.

PDTB114ETVL
Nexperia USA Inc.

PDTB123ET,215
Nexperia USA Inc.

PDTB123TT,215
Nexperia USA Inc.

PDTB143ETVL
Nexperia USA Inc.

PDTB143XTVL
Nexperia USA Inc.

PDTC114ET,215
Nexperia USA Inc.

PDTC114ET,235
Nexperia USA Inc.

XC6SLX45-N3FGG676I
Xilinx Inc.

XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.

XC2S200E-6FG456C
Xilinx Inc.

LFE5UM-25F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation

EP3SL340F1760I4N
Intel

A54SX32A-1BGG329I
Microsemi Corporation

LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000ZE-2BG332C
Lattice Semiconductor Corporation

10AX066H1F34E1SG
Intel

5AGXBB3D4F31C4N
Intel