casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / NSVDTA143ZET1G
codice articolo del costruttore | NSVDTA143ZET1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVDTA143ZET1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSVDTA143ZET1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-75, SOT-416 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-75, SOT-416 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVDTA143ZET1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVDTA143ZET1G-FT |
NSVMUN5236T1G
ON Semiconductor
MUN5137T1G
ON Semiconductor
MUN5136T1G
ON Semiconductor
MUN5111T1G
ON Semiconductor
MUN5234T1G
ON Semiconductor
MUN5131T1G
ON Semiconductor
MUN5232T1G
ON Semiconductor
MUN5214T1G
ON Semiconductor
MUN5236T1G
ON Semiconductor
MUN5133T1G
ON Semiconductor
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
10CX150YF672E6G
Intel
5SGSMD5H2F35I3LN
Intel
5SGXMA3K3F35I3N
Intel
5SGXMA4K3F35I3
Intel
XC2V4000-5FF1152I
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-8LMG328I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5G
Intel