casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NSVBAS21HT3G
codice articolo del costruttore | NSVBAS21HT3G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVBAS21HT3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVBAS21HT3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 250V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVBAS21HT3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVBAS21HT3G-FT |
M1MA151KT1
ON Semiconductor
M1MA152AT1
ON Semiconductor
M1MA152AT1G
ON Semiconductor
M1MA152KT1
ON Semiconductor
NSD16F3T5G
ON Semiconductor
NSD914F3T5G
ON Semiconductor
SB10-05P-TD-E
ON Semiconductor
BAS16P2T5G
ON Semiconductor
BAS16SL
ON Semiconductor
NSR05T40P2T5G
ON Semiconductor
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel