casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NSVBAS16TT1G
codice articolo del costruttore | NSVBAS16TT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVBAS16TT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSVBAS16TT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 6ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-75, SOT-416 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-75, SOT-416 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVBAS16TT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVBAS16TT1G-FT |
MBR230LSFT1G
ON Semiconductor
NRVTS245ESFT1G
ON Semiconductor
MBR2H200SFT3G
ON Semiconductor
MBR2H100SFT3G
ON Semiconductor
NTS260SFT1G
ON Semiconductor
NTS260ESFT1G
ON Semiconductor
MBR120LSFT3G
ON Semiconductor
NRVB140ESFT3G
ON Semiconductor
NRVB1H100SFT3G
ON Semiconductor
NTS260ESFT3G
ON Semiconductor
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel