casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NSS30070MR6T1G
codice articolo del costruttore | NSS30070MR6T1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSS30070MR6T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSS30070MR6T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 700mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 70mA, 700mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 100mA, 3V |
Potenza - Max | 342mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-74 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS30070MR6T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSS30070MR6T1G-FT |
MMBT2369A
ON Semiconductor
MMBT2369ALT1
ON Semiconductor
MMBT2484
ON Semiconductor
MMBT2484LT1
ON Semiconductor
MMBT2907
ON Semiconductor
MMBT2907-D87Z
ON Semiconductor
MMBT2907A
ON Semiconductor
MMBT2907AK
ON Semiconductor
MMBT3416
ON Semiconductor
MMBT3640_D87Z
ON Semiconductor
LAXP2-5E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F484I4N
Intel
EP3C40F484C8
Intel
5SGXMA7K2F40I3N
Intel
5SGXEA5K2F35I2N
Intel
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E1SG
Intel
5AGXMA3D4F31C4G
Intel