casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NSS12501UW3T2G
codice articolo del costruttore | NSS12501UW3T2G |
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Numero di parte futuro | FT-NSS12501UW3T2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSS12501UW3T2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 120mV @ 400mA, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2A, 2V |
Potenza - Max | 875mW |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-WDFN (2x2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS12501UW3T2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSS12501UW3T2G-FT |
NSV40300MZ4T1G
ON Semiconductor
SBF720T1G
ON Semiconductor
PZT2222AT1G
ON Semiconductor
BCP53-16T1G
ON Semiconductor
BCP56-16T1G
ON Semiconductor
BCP56T1G
ON Semiconductor
PZTA42T1G
ON Semiconductor
NJT4031NT1G
ON Semiconductor
NSVBCP69T1G
ON Semiconductor
BF721T1G
ON Semiconductor
A54SX08-TQ144
Microsemi Corporation
5SEE9F45C2N
Intel
5SGXMA7H2F35C3
Intel
EP2SGX90EF1152I4
Intel
XC7K160T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC4VLX15-12FFG676C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40E2SG
Intel
10AX022E3F29I1HG
Intel