casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NSM80100MT1G
codice articolo del costruttore | NSM80100MT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSM80100MT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSM80100MT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 270mW |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-74 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSM80100MT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSM80100MT1G-FT |
MMBT3906_F080
ON Semiconductor
MMBT3906_NL
ON Semiconductor
MMBT4126
ON Semiconductor
MMBT4126LT1
ON Semiconductor
MMBT4354
ON Semiconductor
MMBT4355
ON Semiconductor
MMBT4356
ON Semiconductor
MMBT4400
ON Semiconductor
MMBT4401
ON Semiconductor
MMBT4401K
ON Semiconductor
XC3S2000-5FGG900C
Xilinx Inc.
XC2S15-6VQ100C
Xilinx Inc.
XCS10-3VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL025-1FCSG325
Microsemi Corporation
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
EP1S25F780I6N
Intel
EP20K400BC652-1
Intel
EP2S180F1020I4
Intel