casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / NSBC115EPDXV6T1G
codice articolo del costruttore | NSBC115EPDXV6T1G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-NSBC115EPDXV6T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSBC115EPDXV6T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 357mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBC115EPDXV6T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSBC115EPDXV6T1G-FT |
PRMH13Z
Nexperia USA Inc.
PUMD3,115
Nexperia USA Inc.
PUMD9,115
Nexperia USA Inc.
PUMD12,115
Nexperia USA Inc.
PUMD16,115
Nexperia USA Inc.
PUMH2,115
Nexperia USA Inc.
PUMD2,115
Nexperia USA Inc.
PUMB2,115
Nexperia USA Inc.
PUMH13,115
Nexperia USA Inc.
PUMH7,115
Nexperia USA Inc.
EPF6010ATC144-1
Intel
LCMXO640C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC2S30-6VQG100C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG256
Microsemi Corporation
A3P125-2PQG208I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
LFXP6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SG
Intel