casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NSB8MT-E3/45
codice articolo del costruttore | NSB8MT-E3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-NSB8MT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSB8MT-E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSB8MT-E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSB8MT-E3/45-FT |
VBT3045BP-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH3006S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETX06SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1645-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT4045BP-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20150SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETH03S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETU04S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
XC5VLX220T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FF1927E
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQG176
Microsemi Corporation
5CGXBC9E7F31C8N
Intel
EP2AGX45CU17C5
Intel
EPF8636AQC208-2
Intel