casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NRVUS230T3G
codice articolo del costruttore | NRVUS230T3G |
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Numero di parte futuro | FT-NRVUS230T3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NRVUS230T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 65ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVUS230T3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NRVUS230T3G-FT |
MBRA340T3G
ON Semiconductor
MRA4005T3G
ON Semiconductor
NRVTSA4100ET3G
ON Semiconductor
MBRA130LT3G
ON Semiconductor
SURA8130T3G
ON Semiconductor
MURA105T3G
ON Semiconductor
MURA120T3G
ON Semiconductor
MURA220T3G
ON Semiconductor
MBRA140T3G
ON Semiconductor
MBRA160T3G
ON Semiconductor
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel