casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NRVTSAF260ET3G
codice articolo del costruttore | NRVTSAF260ET3G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-NRVTSAF260ET3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NRVTSAF260ET3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 12µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMA-FL |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVTSAF260ET3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NRVTSAF260ET3G-FT |
NSR10F20NXT5G
ON Semiconductor
NSR10F30NXT5G
ON Semiconductor
NSR10F30QNXT5G
ON Semiconductor
NSR10F40QNXT5G
ON Semiconductor
NSR05F20NXT5G
ON Semiconductor
NSR20F40NXT5G
ON Semiconductor
NSVR05F40NXT5G
ON Semiconductor
NSR05F40NXT5G
ON Semiconductor
NSR20F30NXT5G
ON Semiconductor
SNSR20F20NXT5G
ON Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel