casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NRVBM130LT1G
codice articolo del costruttore | NRVBM130LT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NRVBM130LT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NRVBM130LT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 520mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 10V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-216AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | Powermite |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVBM130LT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NRVBM130LT1G-FT |
MA2J7290GL
Panasonic Electronic Components
MA2J73200L
Panasonic Electronic Components
MA2J7320GL
Panasonic Electronic Components
MA2711100L
Panasonic Electronic Components
MA2772800L
Panasonic Electronic Components
MA2778400L
Panasonic Electronic Components
MA27D2700L
Panasonic Electronic Components
MA27D2900L
Panasonic Electronic Components
MA27D3000L
Panasonic Electronic Components
MA2C16500E
Panasonic Electronic Components
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel