casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / NRS5010T3R3MMGF
codice articolo del costruttore | NRS5010T3R3MMGF |
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Numero di parte futuro | FT-NRS5010T3R3MMGF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NR, S Type |
NRS5010T3R3MMGF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 3.3µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.52A |
Corrente - Saturazione | 1.4A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 42MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.193" L x 0.193" W (4.90mm x 4.90mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRS5010T3R3MMGF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NRS5010T3R3MMGF-FT |
DPO-3.0-220
Talema Group LLC
DPO-3.0-150
Talema Group LLC
DPO-3.0-100
Talema Group LLC
DPO-2.0-68
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DPO-1.0-100
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EP3CLS200F484I7
Intel
EP3C10E144I7N
Intel
5SGXMA4K1F35I2N
Intel
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Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
A42MX09-2PQ160
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel