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codice articolo del costruttore | NR3015T1R0N |
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Numero di parte futuro | FT-NR3015T1R0N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NR |
NR3015T1R0N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±30% |
Valutazione attuale | 2.1A |
Corrente - Saturazione | 2.1A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 36 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 100MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 120°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.059" (1.50mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NR3015T1R0N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NR3015T1R0N-FT |
NR6012T680ME
Taiyo Yuden
NR6012T330ME
Taiyo Yuden
NR6045T220M
Taiyo Yuden
NR6045T100M
Taiyo Yuden
NR6045T150M
Taiyo Yuden
NR6012T470ME
Taiyo Yuden
NR6045T330M
Taiyo Yuden
NR6045T2R3N
Taiyo Yuden
NR6045T4R5M
Taiyo Yuden
NR6020T4R7N
Taiyo Yuden
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel