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Renesas Electronics America NP83P04PDG-E1-AY

Name: NP83P04PDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics America
SKU: NP83P04PDG-E1-AY
Availability: InStock
Rating: 5.0 (683 reviews)

Numero parte MFG: NP83P04PDG-E1-AY

quantità disponibile: 39100 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Renesas Electronics America

Breve descrizione: - MOSFET P-CH 40V 83A TO-263

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NP83P04PDG-E1-AY.pdf

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NP83P04PDG-E1-AY specificazioni

codice articolo del costruttore	NP83P04PDG-E1-AY
Numero di parte futuro	FT-NP83P04PDG-E1-AY
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NP83P04PDG-E1-AY Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	83A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.3 mOhm @ 41.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	200nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	9820pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.8W (Ta), 150W (Tc)
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NP83P04PDG-E1-AY Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NP83P04PDG-E1-AY-FT

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