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codice articolo del costruttore | NP06DB3R3M |
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Numero di parte futuro | FT-NP06DB3R3M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | N, P Type |
NP06DB3R3M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | - |
Materiale: core | - |
Induttanza | 3.3µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 3.6A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.295" L x 0.287" W (7.50mm x 7.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.126" (3.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP06DB3R3M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NP06DB3R3M-FT |
N08DPA820K
Taiyo Yuden
N08DPA821K
Taiyo Yuden
N08DPB100K
Taiyo Yuden
N08DPB101K
Taiyo Yuden
N08DPB102J
Taiyo Yuden
N08DPB120K
Taiyo Yuden
N08DPB121K
Taiyo Yuden
N08DPB150K
Taiyo Yuden
N08DPB151K
Taiyo Yuden
N08DPB180K
Taiyo Yuden
LCMXO2-4000HE-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
XCVU080-H1FFVD1517E
Xilinx Inc.
XC3S1600E-4FG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208I
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG484I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQG100
Microsemi Corporation
LFE2M50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EQC208-2XN
Intel