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codice articolo del costruttore | NP05DB470M |
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Numero di parte futuro | FT-NP05DB470M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | N, P Type |
NP05DB470M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | - |
Materiale: core | - |
Induttanza | 47µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 750mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 430 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 12MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.240" L x 0.232" W (6.10mm x 5.90mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.110" (2.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP05DB470M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NP05DB470M-FT |
N08DPA270K
Taiyo Yuden
N08DPA271K
Taiyo Yuden
N08DPA2R2M
Taiyo Yuden
N08DPA330K
Taiyo Yuden
N08DPA331K
Taiyo Yuden
N08DPA390K
Taiyo Yuden
N08DPA391K
Taiyo Yuden
N08DPA3R3M
Taiyo Yuden
N08DPA470K
Taiyo Yuden
N08DPA471K
Taiyo Yuden
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel