casa / prodotti / condensatori / Condensatori all'ossido di niobio / NOSA106M008R2200V
codice articolo del costruttore | NOSA106M008R2200V |
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Numero di parte futuro | FT-NOSA106M008R2200V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OxiCap® NOS |
NOSA106M008R2200V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Capacità | 10µF |
Tolleranza | ±20% |
Tensione: nominale | 8V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | 2.2 Ohms |
Corrente: perdita | 1.6µA |
Fattore di dissipazione | 10% |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1206 (3216 Metric) |
Codice dimensione produttore | A |
Altezza - Seduto (max) | 0.071" (1.80mm) |
Caratteristiche | Low ESR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1206 (3216 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NOSA106M008R2200V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NOSA106M008R2200V-FT |
NOJD477M002RWJ
AVX Corporation
NOJD477M002SWJ
AVX Corporation
NOJD477M004RWJ
AVX Corporation
NOJX107M004RWJ
AVX Corporation
NOJX157M002RWJ
AVX Corporation
NOJX227M001RWJ
AVX Corporation
NOJX686M006RWJ
AVX Corporation
NOJY107M006RWJ
AVX Corporation
NOJY157M004RWJ
AVX Corporation
NOJY157M006RWJ
AVX Corporation
A54SX32-TQG144M
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
XC5VLX50-2FFG324C
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FF1152I
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG676C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFEC3E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S2F45I2SGES
Intel
EP4CGX110DF31C7
Intel