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NMSD200B01-7 Image

Diodes Incorporated NMSD200B01-7

Numero parte MFG
NMSD200B01-7
quantità disponibile
21140 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.08352
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fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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NMSD200B01-7 specificazioni

codice articolo del costruttore NMSD200B01-7
Numero di parte futuro FT-NMSD200B01-7
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NMSD200B01-7 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) 200mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NMSD200B01-7 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NMSD200B01-7-FT

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