casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / NM93CS06N
codice articolo del costruttore | NM93CS06N |
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Numero di parte futuro | FT-NM93CS06N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NM93CS06N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 256b (16 x 16) |
Frequenza di clock | 1MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NM93CS06N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NM93CS06N-FT |
NAND256W3A2BN6F TR
Micron Technology Inc.
NAND256W3A2BZA6E
Micron Technology Inc.
NAND256W3A2BZA6F TR
Micron Technology Inc.
NAND256W3A2BZAXE
Micron Technology Inc.
NAND32GW3F2DDI6P
Micron Technology Inc.
NAND32GW3F2DDI6P TR
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2AZA6E
STMicroelectronics
NAND512R3A2SE06
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2SZA6E
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2SZA6F
Micron Technology Inc.
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel