casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / NM27C040Q120
codice articolo del costruttore | NM27C040Q120 |
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Numero di parte futuro | FT-NM27C040Q120 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NM27C040Q120 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EPROM |
Tecnologia | EPROM - UV |
Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 120ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 32-CDIP (0.685", 17.40mm) Window |
Pacchetto dispositivo fornitore | 32-CDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NM27C040Q120 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NM27C040Q120-FT |
N25Q128A31EF740F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A31EF840E
Micron Technology Inc.
N25Q128A31EF840F TR
Micron Technology Inc.
N25Q256A11E1240E
Micron Technology Inc.
N25Q256A11E1240F TR
Micron Technology Inc.
N25Q256A11E1241E
Micron Technology Inc.
N25Q256A11E1241F TR
Micron Technology Inc.
N25Q256A11EF840E
Micron Technology Inc.
N25Q256A11EF840F TR
Micron Technology Inc.
N25Q256A13EF8A0F TR
Micron Technology Inc.
A1020B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG256I
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F1020I4
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