casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / NM27C010V120
codice articolo del costruttore | NM27C010V120 |
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Numero di parte futuro | FT-NM27C010V120 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NM27C010V120 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EPROM |
Tecnologia | EPROM - OTP |
Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 120ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 32-LCC (J-Lead) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 32-PLCC (14x11.46) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NM27C010V120 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NM27C010V120-FT |
N25Q128A13EV740
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EV741
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EW7DFE
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EW7DFF
Micron Technology Inc.
N25Q128A13TF840E
Micron Technology Inc.
N25Q128A21BF840E
Micron Technology Inc.
N25Q128A23B1240E
Micron Technology Inc.
N25Q128A23B1241E
Micron Technology Inc.
N25Q128A23BF840E
Micron Technology Inc.
N25Q128A31EF740F TR
Micron Technology Inc.
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel