casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / NM24C09N
codice articolo del costruttore | NM24C09N |
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Numero di parte futuro | FT-NM24C09N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NM24C09N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 8Kb (1K x 8) |
Frequenza di clock | 100kHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ms |
Tempo di accesso | 3.5µs |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NM24C09N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NM24C09N-FT |
N25Q128A13E1440F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13E1441E
Micron Technology Inc.
N25Q128A13E1441F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EF740E
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EF740F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EF8A0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EF8C0E
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EF8C0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13ESEA0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13ESED0F TR
Micron Technology Inc.
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel