casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NJL4302DG
codice articolo del costruttore | NJL4302DG |
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Numero di parte futuro | FT-NJL4302DG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NJL4302DG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 15A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 800mA, 8A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5A, 5V |
Potenza - Max | 230W |
Frequenza - Transizione | 35MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-264-5 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJL4302DG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NJL4302DG-FT |
2SB1143S
ON Semiconductor
2SB1143T
ON Semiconductor
2SC3902S
ON Semiconductor
2SC3902T
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2SD1683S
ON Semiconductor
2SD1683T
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2SD1685F
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2SD1685G
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AML2002
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MJ15024G
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A40MX04-VQG80M
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A54SX32-1TQG144I
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LCMXO2280C-5T144C
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XC7A35T-1FT256I
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LCMXO3LF-4300C-6BG400C
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LFEC3E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
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EPF10K10QC208-4
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EP1S40F1020C5
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