casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NJL3281DG
codice articolo del costruttore | NJL3281DG |
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Numero di parte futuro | FT-NJL3281DG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NJL3281DG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 15A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 260V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 1A, 10A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 75 @ 5A, 5V |
Potenza - Max | 200W |
Frequenza - Transizione | 30MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-264-5 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJL3281DG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NJL3281DG-FT |
MJE371
ON Semiconductor
MJE521G
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XCS10-4TQ144C
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EP4CGX30CF23I7
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EP2SGX90EF1152C4
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XC5VLX155T-1FFG1738I
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XC6SLX25-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG332I
Lattice Semiconductor Corporation