casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NJL0281DG
codice articolo del costruttore | NJL0281DG |
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Numero di parte futuro | FT-NJL0281DG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NJL0281DG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 15A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 260V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 500mA, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 75 @ 3A, 5V |
Potenza - Max | 180W |
Frequenza - Transizione | 30MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-264-5 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJL0281DG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NJL0281DG-FT |
MJE271G
ON Semiconductor
MJE371
ON Semiconductor
MJE521G
ON Semiconductor
MJE703
ON Semiconductor
MJE803
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SJW3281G
ON Semiconductor
2SA1507S
ON Semiconductor
2SA1507T
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2SB1143S
ON Semiconductor
2SB1143T
ON Semiconductor
LCMXO2-2000HE-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFE2-50E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G6F35C6N
Intel
EP4CE30F29I7N
Intel