casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NJD2873RL
codice articolo del costruttore | NJD2873RL |
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Numero di parte futuro | FT-NJD2873RL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NJD2873RL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 50mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 1.68W |
Frequenza - Transizione | 65MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJD2873RL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NJD2873RL-FT |
MJD350T4G
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MJD41CT4G
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MJD122G
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NSS1C301ET4G
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LCMXO1200C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQG208
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6MG81I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-25F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DCF256C8G
Intel
10AX022E3F27E2LG
Intel
EP4SE530F43C2
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40I2SGES
Intel