casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NGTD5R65F2WP
codice articolo del costruttore | NGTD5R65F2WP |
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Numero di parte futuro | FT-NGTD5R65F2WP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NGTD5R65F2WP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 20A |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 650V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NGTD5R65F2WP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NGTD5R65F2WP-FT |
CD214A-B120LR
Bourns Inc.
CD214A-B120R
Bourns Inc.
CD214A-B140LR
Bourns Inc.
CD214A-B140R
Bourns Inc.
CD214A-B220LR
Bourns Inc.
CD214A-B220R
Bourns Inc.
CD214A-B240LR
Bourns Inc.
CD214A-B240R
Bourns Inc.
CD214A-B260R
Bourns Inc.
CD214A-B320LR
Bourns Inc.
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel