casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / NGTD14T65F2WP
codice articolo del costruttore | NGTD14T65F2WP |
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Numero di parte futuro | FT-NGTD14T65F2WP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NGTD14T65F2WP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 35A |
Potenza - Max | - |
Cambiare energia | - |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | - |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
Condizione di test | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NGTD14T65F2WP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NGTD14T65F2WP-FT |
IKW40N65F5FKSA1
Infineon Technologies
IKW75N60H3FKSA1
Infineon Technologies
IGW30N60TPXKSA1
Infineon Technologies
IHW50N65R5XKSA1
Infineon Technologies
IKW40N60DTPXKSA1
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IGW50N60TPXKSA1
Infineon Technologies
IKW50N60DTPXKSA1
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AUIRG4PC40S-E
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IKW50N65EH5XKSA1
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IKW50N65WR5XKSA1
Infineon Technologies
M1A3PE1500-FGG484I
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M2GL005-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
10M50DAF484C6GES
Intel
EPF10K100EFC256-3
Intel
5SGXMABN3F45I3N
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LCMXO640C-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31C7N
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10AX057K2F40I2SG
Intel
EP2SGX130GF1508C4N
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