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ON Semiconductor NGTD13T65F2WP

Name: NGTD13T65F2WP
Brand: ON Semiconductor
SKU: NGTD13T65F2WP
Price: 1.413472 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (231 reviews)

Numero parte MFG: NGTD13T65F2WP

quantità disponibile: 33500 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.413472

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - IGBT - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NGTD13T65F2WP.pdf

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NGTD13T65F2WP specificazioni

codice articolo del costruttore	NGTD13T65F2WP
Numero di parte futuro	FT-NGTD13T65F2WP
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NGTD13T65F2WP Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo IGBT	Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	-
Corrente - Collector Pulsed (Icm)	120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 30A
Potenza - Max	-
Cambiare energia	-
Tipo di input	Standard
Carica del cancello	-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C	-
Condizione di test	-
Tempo di recupero inverso (trr)	-
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	Die
Pacchetto dispositivo fornitore	Die
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NGTD13T65F2WP Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NGTD13T65F2WP-FT

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