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ON Semiconductor NGTD13T65F2WP
- Numero parte MFG
- NGTD13T65F2WP
- quantità disponibile
- 33500 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 1.413472
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- ON Semiconductor
- Breve descrizione
- - IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - IGBT - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- NGTD13T65F2WP.pdf
NGTD13T65F2WP specificazioni
| codice articolo del costruttore | NGTD13T65F2WP |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-NGTD13T65F2WP |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| NGTD13T65F2WP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 30A |
| Potenza - Max | - |
| Cambiare energia | - |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | - |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
| Condizione di test | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NGTD13T65F2WP Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | NGTD13T65F2WP-FT |
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