casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / NGTB50N65S1WG
codice articolo del costruttore | NGTB50N65S1WG |
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Numero di parte futuro | FT-NGTB50N65S1WG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NGTB50N65S1WG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Tipo IGBT | Trench |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 140A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 140A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 50A |
Potenza - Max | 300W |
Cambiare energia | 1.25mJ (on), 530µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 128nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 75ns/128ns |
Condizione di test | 400V, 50A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 70ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NGTB50N65S1WG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NGTB50N65S1WG-FT |
FGA70N33BTDTU
ON Semiconductor
FGA90N30DTU
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FGA90N30TU
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FGA90N33ATTU
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SGH30N60RUFDTU
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SGH40N60UFDM1TU
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SGH40N60UFDTU
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SGH80N60UFTU
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NGTB40N135IHRWG
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