casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / NGTB30N135IHRWG
codice articolo del costruttore | NGTB30N135IHRWG |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-NGTB30N135IHRWG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NGTB30N135IHRWG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1350V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.65V @ 15V, 30A |
Potenza - Max | 394W |
Cambiare energia | 850µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 234nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | -/250ns |
Condizione di test | 600V, 30A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NGTB30N135IHRWG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NGTB30N135IHRWG-FT |
RJH60D1DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
RJH60A83RDPN-E0#T2
Renesas Electronics America
RJP6085DPN-00#T2
Renesas Electronics America
RJH60M1DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJP60D0DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJH60A83RDPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJH60A85RDPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJH60D1DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJH60D2DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJH60D3DPE-00#J3
Renesas Electronics America
XC3030L-8VQ64C
Xilinx Inc.
EPF10K10ATC144-2
Intel
EX64-TQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484I6G
Intel
10M08DCF256C8G
Intel
LFE2-50E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40I2SGES
Intel
EP1S40B956C7
Intel