casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / NESG2107M33-A
codice articolo del costruttore | NESG2107M33-A |
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Numero di parte futuro | FT-NESG2107M33-A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NESG2107M33-A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5V |
Frequenza - Transizione | 10GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz |
Guadagno | 7dB ~ 10dB |
Potenza - Max | 130mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 5mA, 1V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-SMD, Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-SuperMiniMold (M33) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NESG2107M33-A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NESG2107M33-A-FT |
MS2202
Microsemi Corporation
MS2203
Microsemi Corporation
MS2204
Microsemi Corporation
MS2205
Microsemi Corporation
MS2206
Microsemi Corporation
MS2206A
Microsemi Corporation
MS2207
Microsemi Corporation
MS2210A
Microsemi Corporation
MS2211
Microsemi Corporation
MS2212
Microsemi Corporation
XC2V80-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC7A75T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6002-4AI
Microchip Technology
10M50DAF484I7G
Intel
5SGSMD5K3F40C2N
Intel
10AX032H2F35I2SG
Intel
XC2V1500-4BGG575I
Xilinx Inc.
XC7S6-2CSGA225C
Xilinx Inc.