casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / NE85633-A
codice articolo del costruttore | NE85633-A |
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Numero di parte futuro | FT-NE85633-A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE85633-A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequenza - Transizione | 7GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Guadagno | 11.5dB |
Potenza - Max | 200mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85633-A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NE85633-A-FT |
MS1701
Microsemi Corporation
MS1801
Microsemi Corporation
MS2091H
Microsemi Corporation
MS2092H
Microsemi Corporation
MS2200
Microsemi Corporation
MS2200A
Microsemi Corporation
MS2201
Microsemi Corporation
MS2202
Microsemi Corporation
MS2203
Microsemi Corporation
MS2204
Microsemi Corporation
XC2VP70-5FFG1517C
Xilinx Inc.
APA600-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A15T-L1CPG236I
Xilinx Inc.
LFXP3C-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8636ALI84-4
Intel
EP1C12F324C8N
Intel