casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / NE687M33-A
codice articolo del costruttore | NE687M33-A |
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Numero di parte futuro | FT-NE687M33-A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE687M33-A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3V |
Frequenza - Transizione | 12GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2dB @ 2GHz |
Guadagno | - |
Potenza - Max | 90mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 1V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-SMD, Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-SuperMiniMold (M33) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE687M33-A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NE687M33-A-FT |
MS1337
Microsemi Corporation
MS1406
Microsemi Corporation
MS1579
Microsemi Corporation
MS1612
Microsemi Corporation
MS1701
Microsemi Corporation
MS1801
Microsemi Corporation
MS2091H
Microsemi Corporation
MS2092H
Microsemi Corporation
MS2200
Microsemi Corporation
MS2200A
Microsemi Corporation
XC4005XL-2PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-ZVQ100
Microsemi Corporation
EP3SL200F1517C4L
Intel
10AX027H3F35E2LG
Intel
XC6VHX255T-2FFG1923C
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG144
Microsemi Corporation
LFXP3E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation