casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / NE687M03-T1-A
codice articolo del costruttore | NE687M03-T1-A |
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Numero di parte futuro | FT-NE687M03-T1-A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE687M03-T1-A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3V |
Frequenza - Transizione | 14GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz |
Guadagno | - |
Potenza - Max | 90mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 20mA, 2V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-623F |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-SuperMiniMold (M03) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE687M03-T1-A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NE687M03-T1-A-FT |
MS1202
Microsemi Corporation
MS1227
Microsemi Corporation
MS1337
Microsemi Corporation
MS1406
Microsemi Corporation
MS1579
Microsemi Corporation
MS1612
Microsemi Corporation
MS1701
Microsemi Corporation
MS1801
Microsemi Corporation
MS2091H
Microsemi Corporation
MS2092H
Microsemi Corporation
XC3S100E-5VQG100C
Xilinx Inc.
AFS1500-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3P400-1PQG208I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z1VQG100
Microsemi Corporation
10AX027E2F29E2LG
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FF1927I
Xilinx Inc.
XC7S6-2CPGA196C
Xilinx Inc.
EP3SE80F780C4LN
Intel
EPF10K30AQI208-3
Intel